Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7462DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
606539Зображення SI7462DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7462DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7462DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7462DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.9W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SI7462DP-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 2.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7462DP-T1-GE3".
SI7460DP-T1-E3

SI7460DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7462DP-T1-E3

SI7462DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7465DP-T1-E3

SI7465DP-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7464DP-T1-GE3

SI7464DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7461DP-T1-E3

SI7461DP-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7459DP-T1-E3

SI7459DP-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7469DP-T1-E3

SI7469DP-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7476DP-T1-E3

SI7476DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7465DP-T1-GE3

SI7465DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7459DP-T1-GE3

SI7459DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7469DP-T1-GE3

SI7469DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7457DP-T1-GE3

SI7457DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7463DP-T1-E3

SI7463DP-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7463DP-T1-GE3

SI7463DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.