Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7403BDN-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2396085Зображення SI7403BDN-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7403BDN-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7403BDN-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7403BDN-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SI7403BDN-T1-E3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    430pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7403BDN-T1-E3".
SI7392ADP-T1-GE3

SI7392ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7404DN-T1-GE3

SI7404DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7409ADN-T1-E3

SI7409ADN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7388DP-T1-GE3

SI7388DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7392DP-T1-E3

SI7392DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7402DN-T1-GE3

SI7402DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7392DP-T1-GE3

SI7392DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7405BDN-T1-E3

SI7405BDN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7402DN-T1-E3

SI7402DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7409ADN-T1-GE3

SI7409ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7407DN-T1-E3

SI7407DN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7390DP-T1-GE3

SI7390DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7405BDN-T1-GE3

SI7405BDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7403BDN-T1-GE3

SI7403BDN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7411DN-T1-E3

SI7411DN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7392ADP-T1-E3

SI7392ADP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7407DN-T1-GE3

SI7407DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7404DN-T1-E3

SI7404DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7388DP-T1-E3

SI7388DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.