Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI7308DN-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1898226Зображення SI7308DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7308DN-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.547
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI7308DN-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI7308DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® 1212-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Інші імена
    SI7308DN-T1-GE3TR
    SI7308DNT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI7308DN-T1-GE3".
SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7302DN-T1-E3

SI7302DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Опис: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SI72XX-WD-KIT

SI72XX-WD-KIT

Опис: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7322DN-T1-E3

SI7322DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7309DN-T1-GE3

SI7309DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7309DN-T1-E3

SI7309DN-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7328DN-T1-E3

SI7328DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.