Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI5913DC-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1650903Зображення SI5913DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5913DC-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI5913DC-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI5913DC-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    1206-8 ChipFET™
  • Серія
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    84 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    330pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI5913DC-T1-E3".
SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5903DC-T1-GE3

SI5903DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5913DC-T1-GE3

SI5913DC-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5904DC-T1-GE3

SI5904DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5904DC-T1-E3

SI5904DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5915DC-T1-GE3

SI5915DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5920DC-T1-GE3

SI5920DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5933CDC-T1-E3

SI5933CDC-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI5905DC-T1-GE3

SI5905DC-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.