Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI4966DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
274054

SI4966DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4966DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4966DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    2W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    -
  • Номер базової частини
    SI4966

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4966DY-T1-GE3".
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4972DY-T1-GE3

SI4972DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.