Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4896DY-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3478261

SI4896DY-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.806
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4896DY-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4896DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    16.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.56W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4896DY-T1-E3TR
    SI4896DYT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    N-Channel 80V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6.7A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4896DY-T1-E3".
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.