Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4876DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5803991

SI4876DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4876DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4876DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    600mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 21A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.6W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    80nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4876DY-T1-GE3".
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4862DY-T1-GE3

SI4862DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4866BDY-T1-E3

SI4866BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4864DY-T1-E3

SI4864DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.