Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4833BDY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6779992

SI4833BDY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.306
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4833BDY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4833BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOIC
  • Серія
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    68 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.75W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4833BDY-T1-GE3-ND
    SI4833BDY-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    350pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    P-Channel 30V 4.6A (Tc) 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4833BDY-T1-GE3".
SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Опис: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4831BDY-T1-E3

SI4831BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4834BDY-T1-GE3

SI4834BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4831-B30-GUR

SI4831-B30-GUR

Опис: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4831BDY-T1-GE3

SI4831BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4835-B30-GUR

SI4835-B30-GUR

Опис: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4835-DEMO

SI4835-DEMO

Опис: BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4835-B30-GU

SI4835-B30-GU

Опис: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4833ADY-T1-GE3

SI4833ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4831-B30-GU

SI4831-B30-GU

Опис: IC RCVR AM/FM RADIO 24SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4835BDY-T1-E3

SI4835BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.