Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI4816DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1453296

SI4816DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4816DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4816DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 6.3A, 10V
  • Потужність - Макс
    1W, 1.25W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.3A, 7.7A
  • Номер базової частини
    SI4816

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4816DY-T1-GE3".
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4824-A10-CUR

SI4824-A10-CUR

Опис: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4824-A10-CU

SI4824-A10-CU

Опис: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4822-A10-CU

SI4822-A10-CU

Опис: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4822-A10-CUR

SI4822-A10-CUR

Опис: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4820-A10-CU

SI4820-A10-CU

Опис: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4820-A10-CUR

SI4820-A10-CUR

Опис: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4823DY-T1-E3

SI4823DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.