Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4660DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6531775

SI4660DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4660DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4660DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4660DY-T1-GE3TR
    SI4660DYT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2410pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    23.1A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4660DY-T1-GE3".
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Опис: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Опис: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Опис: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.