Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI4511DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1563659

SI4511DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4511DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4511DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.1W
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4511DY-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.2A, 4.6A
  • Номер базової частини
    SI4511

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4511DY-T1-GE3".
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4542DY-T1-GE3

SI4542DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4542DY

SI4542DY

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4532DY

SI4532DY

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4539ADY-T1-GE3

SI4539ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4539ADY-T1-E3

SI4539ADY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.