Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4484EY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2322413

SI4484EY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4484EY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4484EY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.8W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4484EY-T1-GE3CT
    SI4484EYT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 4.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4484EY-T1-GE3".
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.