Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4466DY-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1138863

SI4466DY-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4466DY-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4466DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 13.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.5W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4466DY-T1-E3TR
    SI4466DYT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    60nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4466DY-T1-E3".
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Опис: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Опис: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Опис: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Опис: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.