Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4456DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
655255

SI4456DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$1.397
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4456DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4456DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    5670pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4456DY-T1-GE3".
SI4461-B1B-FM

SI4461-B1B-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4460-B1B-FMR

SI4460-B1B-FMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4461-868-DK

SI4461-868-DK

Опис: KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4460-C2A-GM

SI4460-C2A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4460-B0B-FM

SI4460-B0B-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4460-C2A-GMR

SI4460-C2A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4460-B1B-FM

SI4460-B1B-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4461-B0B-FM

SI4461-B0B-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.