Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4438DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2807211

SI4438DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4438DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4438DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4645pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    126nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    36A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4438DY-T1-GE3".
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Опис: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.