Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4412ADY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5796130

SI4412ADY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4412ADY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4412ADY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 8A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.3W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 5.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4412ADY-T1-GE3".
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4420-D1-FTR

SI4420-D1-FTR

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4418DY-T1-GE3

SI4418DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4418DY-T1-E3

SI4418DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Опис: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Виробники: NXP Semiconductors / Freescale
В наявності
RFQ
SI4420BDY-T1-GE3

SI4420BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI4420-D1-FT

SI4420-D1-FT

Опис: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.