Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4322DY-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5911322

SI4322DY-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4322DY-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI4322DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1640pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI4322DY-T1-GE3".
SI4330DY-T1-GE3

SI4330DY-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4322DY-T1-E3

SI4322DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4320-J1-FT

SI4320-J1-FT

Опис: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4340DY-T1-E3

SI4340DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4324DY-T1-GE3

SI4324DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4346DY-T1-E3

SI4346DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4313-B1-FMR

SI4313-B1-FMR

Опис: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4330-B1-FM

SI4330-B1-FM

Опис: IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4313-B1-FM

SI4313-B1-FM

Опис: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4330-B1-FMR

SI4330-B1-FMR

Опис: IC RX ISM 240-960MHZ 20QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4322-A0-FT

SI4322-A0-FT

Опис: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4320DY-T1-GE3

SI4320DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4320-J1-FTR

SI4320-J1-FTR

Опис: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4322-A1-FT

SI4322-A1-FT

Опис: IC RCVR FSK 915MHZ 3.8V 16-TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI4340CDY-T1-E3

SI4340CDY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4320DY-T1-E3

SI4320DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4324DY-T1-E3

SI4324DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4336DY-T1-E3

SI4336DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4322-A0-FTR

SI4322-A0-FTR

Опис: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.