Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI4134DY-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
82873

SI4134DY-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.95
10+
$0.829
100+
$0.64
500+
$0.474
1000+
$0.379
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI4134DY-T1-E3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    SI4134DY-T1-E3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    846pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)
SI4136-F-BM

SI4136-F-BM

Опис: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

Опис: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4136-BM

SI4136-BM

Опис: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SI4134T-GM

SI4134T-GM

Опис: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133M-EVB

SI4133M-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133GX2-BM

SI4133GX2-BM

Опис: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

Опис: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133T-BM

SI4133T-BM

Опис: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4136-BT

SI4136-BT

Опис: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4136-EVB

SI4136-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133-EVB

SI4133-EVB

Опис: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

Опис: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4136-F-BT

SI4136-F-BT

Опис: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Опис: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133WM-EVB

SI4133WM-EVB

Опис: KIT EVAL FOR SI4133W-BM

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4134T-BM

SI4134T-BM

Опис: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133GX2M-EVB

SI4133GX2M-EVB

Опис: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
SI4133T-GM

SI4133T-GM

Опис: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти