Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI3127DV-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3797468Зображення SI3127DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3127DV-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.185
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI3127DV-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI3127DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Інші імена
    SI3127DV-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    833pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta), 13A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI3127DV-T1-GE3".
SI3068-B-FTR

SI3068-B-FTR

Опис: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3134KL-TP

SI3134KL-TP

Опис: N-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI3068-B-FT

SI3068-B-FT

Опис: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3069-A-FTR

SI3069-A-FTR

Опис: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3139KE-TP

SI3139KE-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI3066-B-FT

SI3066-B-FT

Опис: IC DAA ENH FCC LINE-SIDE 10SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3200-FS

SI3200-FS

Опис: IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3200-BS

SI3200-BS

Опис: IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3068-B-FS

SI3068-B-FS

Опис: IC FCC+ EMBEDDED DAA 8SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3073-F-FS

SI3073-F-FS

Опис: IC ENH GLOBAL LINE-SIDE 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3066-B-FTR

SI3066-B-FTR

Опис: IC DAA ENH FCC LINE-SIDE 10SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3134KE-TP

SI3134KE-TP

Опис: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI3139K-TP

SI3139K-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI3068-B-FSR

SI3068-B-FSR

Опис: IC FCC+ EMBEDDED DAA 8SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3200-G-FSR

SI3200-G-FSR

Опис: IC SLIC/CODEC 100V LINE 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3072-F-FS

SI3072-F-FS

Опис: IC ENH FCC+ LINE-SIDE 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3134K-TP

SI3134K-TP

Опис: N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI3200-G-FS

SI3200-G-FS

Опис: IC SLIC/CODEC 100V LINE 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI3139KL-TP

SI3139KL-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI3069-A-FT

SI3069-A-FT

Опис: IC DAA FCC+ EMBEDDED 10SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.