Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI2366DS-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1393769

SI2366DS-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.178
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI2366DS-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI2366DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    SI2366DS-T1-GE3-ND
    SI2366DS-T1-GE3TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    335pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 5.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI2366DS-T1-GE3".
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2400-BS

SI2400-BS

Опис: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.