Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI2337DS-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2775957

SI2337DS-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.467
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI2337DS-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI2337DS-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    270 mOhm @ 1.2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    760mW (Ta), 2.5W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    SI2337DS-T1-E3TR
    SI2337DST1E3
  • Робоча температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    500pF @ 40V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Tc)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI2337DS-T1-E3".
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333-TP

SI2333-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.