Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI2327DS-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1443732

SI2327DS-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI2327DS-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI2327DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.35 Ohm @ 500mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    750mW (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    SI2327DS-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    P-Channel 200V 380mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    380mA (Ta)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI2327DS-T1-GE3".
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2328DS-T1-E3

SI2328DS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2333-TP

SI2333-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.