Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI2312BDS-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3413059

SI2312BDS-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.174
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI2312BDS-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI2312BDS-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    31 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    750mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    SI2312BDS-T1-E3TR
    SI2312BDST1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI2312BDS-T1-E3".
SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2310-TP

SI2310-TP

Опис: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2312-TP

SI2312-TP

Опис: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2316DS-T1-GE3

SI2316DS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.