Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI2305CDS-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6092162

SI2305CDS-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.58
10+
$0.453
100+
$0.311
500+
$0.213
1000+
$0.16
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI2305CDS-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI2305CDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    960mW (Ta), 1.7W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    SI2305CDS-T1-GE3CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    960pF @ 4V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 8V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    8V
  • Детальний опис
    P-Channel 8V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI2305CDS-T1-GE3".
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2306-TP

SI2306-TP

Опис: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2304-TP

SI2304-TP

Опис: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2305B-TP

SI2305B-TP

Опис: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2305-TP

SI2305-TP

Опис: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2304DS,215

SI2304DS,215

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.