Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > SI1988DH-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4268727

SI1988DH-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI1988DH-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI1988DH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    168 mOhm @ 1.4A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    1.25W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Інші імена
    SI1988DH-T1-GE3TR
    SI1988DHT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.1nC @ 8V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Номер базової частини
    SI1988

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI1988DH-T1-GE3".
SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1972DH-T1-E3

SI1972DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1917EDH-T1-E3

SI1917EDH-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1913DH-T1-E3

SI1913DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1972DH-T1-GE3

SI1972DH-T1-GE3

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1988DH-T1-E3

SI1988DH-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.