Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI1072X-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4813389Зображення SI1072X-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1072X-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI1072X-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI1072X-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-89-6
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    93 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    236mW (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    SI1072X-T1-E3CT
    SI1072XT1E3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    280pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    -

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI1072X-T1-E3".
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V SC89

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1081-A-GMR

SI1081-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1081-A-GM

SI1081-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.