Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI1013X-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
231675Зображення SI1013X-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1013X-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.165
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI1013X-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI1013X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    450mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (Макс)
    ±6V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-89-3
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    250mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-89, SOT-490
  • Інші імена
    SI1013X-T1-GE3TR
    SI1013XT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.5nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    350mA (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI1013X-T1-GE3".
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1015-C-GM2

SI1015-C-GM2

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1014-A-GMR

SI1014-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1015-A-GMR

SI1015-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1014-A-GM

SI1014-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1015-C-GM2R

SI1015-C-GM2R

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1015-A-GM

SI1015-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1014-C-GM2

SI1014-C-GM2

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1014-C-GM2R

SI1014-C-GM2R

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.