Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RS2GHE3/5BT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1955862Зображення RS2GHE3/5BTElectro-Films (EFI) / Vishay

RS2GHE3/5BT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RS2GHE3/5BT
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 1.5A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    400V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AA (SMB)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    150ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 400V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1.5A
  • Ємність @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Номер базової частини
    RS2G
RS2J M4G

RS2J M4G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS2J R5G

RS2J R5G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS2GHE3_A/H

RS2GHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2J-E3/52T

RS2J-E3/52T

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2G-M3/52T

RS2G-M3/52T

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2J-13

RS2J-13

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS2GHE3/52T

RS2GHE3/52T

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2J-M3/5BT

RS2J-M3/5BT

Опис: DIODE SW 1.5A 600V 250NS DO214AA

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RS2G/1

RS2G/1

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2GAHR3G

RS2GAHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS2J-13-F

RS2J-13-F

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS2J-E3/5BT

RS2J-E3/5BT

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2GA-13-F

RS2GA-13-F

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS2GA R3G

RS2GA R3G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS2J-M3/52T

RS2J-M3/52T

Опис: DIODE SW 1.5A 600V 250NS DO214AA

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RS2GA-13

RS2GA-13

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RS2GHE3_A/I

RS2GHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2G-M3/5BT

RS2G-M3/5BT

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS2GAHM2G

RS2GAHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS2GA M2G

RS2GA M2G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти