Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > 1N6479HE3/97
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3709538Зображення 1N6479HE3/97Electro-Films (EFI) / Vishay

1N6479HE3/97

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10000+
$0.12
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    1N6479HE3/97
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.1N6479HE3/97.pdf
    2.1N6479HE3/97.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.1V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    100V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-213AB
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    SUPERECTIFIER®
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 175°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 100V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Номер базової частини
    1N6479

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "1N6479HE3/97".
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6481-E3/97

1N6481-E3/97

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6476US

1N6476US

Опис: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N648-1

1N648-1

Опис: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

Опис: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
1N6476US

1N6476US

Опис: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Виробники: Semtech
В наявності
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Опис: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
1N6476

1N6476

Опис: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.