Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > ZXMN6A09KTC
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2527414Зображення ZXMN6A09KTCDiodes Incorporated

ZXMN6A09KTC

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN6A09KTC
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    ZXMN6A09KTC.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 7.3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.15W (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    ZXMN6A09KTCDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1426pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 7.7A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN6A09KTC".
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Опис: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Опис: MOSFETN-CH 60VSOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Опис: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Опис: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Опис: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Опис: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Опис: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Опис: MOSFET N-CH 60VSOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.