Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > ZXMN3G32DN8TA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6177025Зображення ZXMN3G32DN8TADiodes Incorporated

ZXMN3G32DN8TA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.98
10+
$0.86
100+
$0.659
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN3G32DN8TA
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    ZXMN3G32DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 6A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.8W
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    1034-ZXMN3G32DN8CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    26 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    472pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.5A

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN3G32DN8TA".
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Опис: MOSFETN-CH 60VSOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Опис: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Опис: MOSFET N-CH 60VSOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Опис: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.