Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > ZXMN3A06DN8TA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2186947Зображення ZXMN3A06DN8TADiodes Incorporated

ZXMN3A06DN8TA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.37
10+
$1.212
100+
$0.958
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN3A06DN8TA
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    ZXMN3A06DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 9A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.8W
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    ZXMN3A06DN8CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    796pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.9A

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN3A06DN8TA".
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Опис: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.