Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > ZXMN2F30FHTA
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6078354Зображення ZXMN2F30FHTADiodes Incorporated

ZXMN2F30FHTA

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.54
10+
$0.423
100+
$0.29
500+
$0.199
1000+
$0.149
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ZXMN2F30FHTA
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    ZXMN2F30FHTA.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    960mW (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    ZXMN2F30FHCT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    452pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 4.1A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ZXMN2F30FHTA".
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Опис: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Опис: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Опис: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.