Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > MMBF170-7-F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3273188Зображення MMBF170-7-FDiodes Incorporated

MMBF170-7-F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.073
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MMBF170-7-F
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    MMBF170-7-F.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    300mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    MMBF170-FDITR
    MMBF1707F
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    40pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MMBF170-7-F".
MMBF170Q-7-F

MMBF170Q-7-F

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF102

MMBF102

Опис: JFET N-CH 25V 20MA SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBD914TR

MMBD914TR

Опис: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Виробники: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
В наявності
RFQ
MMBF2202PT1G

MMBF2202PT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF2201NT1G

MMBF2201NT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF170Q-13-F

MMBF170Q-13-F

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.5A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
MMBF2201NT1

MMBF2201NT1

Опис: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF170

MMBF170

Опис: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF170LT3

MMBF170LT3

Опис: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF0201NLT1

MMBF0201NLT1

Опис: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBD914LT3HTMA1

MMBD914LT3HTMA1

Опис: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
MMBD914LT3G

MMBD914LT3G

Опис: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF170-7

MMBF170-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBD914_D87Z

MMBD914_D87Z

Опис: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF170LT3G

MMBF170LT3G

Опис: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF2202PT1

MMBF2202PT1

Опис: MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT-323

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBF170LT1

MMBF170LT1

Опис: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MMBD914LT1HTSA1

MMBD914LT1HTSA1

Опис: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.