Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMTH10H025LK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2880013

DMTH10H025LK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMTH10H025LK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET NCH 100V TO252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMTH10H025LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252, (D-Pak)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.1W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1477pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 51.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    51.7A (Tc)

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMTH10H025LK3-13".
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Опис: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Опис: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4004LK3-13

DMTH4004LK3-13

Опис: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Опис: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Опис: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Опис: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Опис: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Опис: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Опис: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Опис: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Опис: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4004LPS-13

DMTH4004LPS-13

Опис: MOSFET NCH 40V 26A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Опис: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Опис: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH4004SCTB-13

DMTH4004SCTB-13

Опис: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Опис: MOSFET 100V 108A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.