Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMT6017LSS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2937740Зображення DMT6017LSS-13Diodes Incorporated

DMT6017LSS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.267
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMT6017LSS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMT6017LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.5W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    DMT6017LSS-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    864pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    9.2A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMT6017LSS-13".
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Опис: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Опис: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Опис: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Опис: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Опис: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.