Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMT6004LPS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1720098Зображення DMT6004LPS-13Diodes Incorporated

DMT6004LPS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.82
10+
$1.616
100+
$1.277
500+
$0.99
1000+
$0.782
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMT6004LPS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 22A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMT6004LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI5060-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 25A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.1W (Ta), 105W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    DMT6004LPS-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    28 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4515pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    96.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.1W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    22A (Ta), 90A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMT6004LPS-13".
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Опис: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Опис: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Опис: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Опис: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Опис: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Опис: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Опис: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Опис: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Опис: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.