Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMT4004LPS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
578063Зображення DMT4004LPS-13Diodes Incorporated

DMT4004LPS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.23
10+
$1.093
100+
$0.864
500+
$0.67
1000+
$0.529
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMT4004LPS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMT4004LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI5060-8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.6W (Ta), 138W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    DMT4004LPS-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4508pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    82.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 26A (Ta), 90A (Tc) 2.6W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    26A (Ta), 90A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMT4004LPS-13".
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Опис: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Опис: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Опис: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Опис: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Опис: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Опис: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT36M1LPS-13

DMT36M1LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Опис: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

Виробники: Murata Electronics
В наявності
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Опис: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Опис: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Опис: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Виробники: Murata Electronics
В наявності
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.