Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMT3004LPS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4332509Зображення DMT3004LPS-13Diodes Incorporated

DMT3004LPS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.09
10+
$0.962
100+
$0.76
500+
$0.59
1000+
$0.466
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMT3004LPS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMT3004LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    +20V, -16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI5060-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.7W (Ta), 113W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    DMT3004LPS-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2370pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    43.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 21A (Ta), 140A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    21A (Ta), 140A (Tc)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMT3004LPS-13".
DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13

Опис: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Опис: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT2S1K-F

DMT2S1K-F

Опис: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Опис: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3006LDK-7

DMT3006LDK-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3003LFG-7

DMT3003LFG-7

Опис: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT2P47K-F

DMT2P47K-F

Опис: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT2P68K-F

DMT2P68K-F

Опис: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT2P68K

DMT2P68K

Опис: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT2S47K-F

DMT2S47K-F

Опис: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
DMT3004LFG-7

DMT3004LFG-7

Опис: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

Опис: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Опис: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Опис: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Опис: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

Опис: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.