Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMT10H010LSS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1406632Зображення DMT10H010LSS-13Diodes Incorporated

DMT10H010LSS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.68
10+
$1.487
100+
$1.175
500+
$0.911
1000+
$0.72
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMT10H010LSS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMT10H010LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.4W (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    DMT10H010LSS-13DIDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3000pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta), 29.5A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMT10H010LSS-13".
DMT-7-15

DMT-7-15

Опис: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Опис: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Опис: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT-6-12

DMT-6-12

Опис: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT-8-15

DMT-8-15

Опис: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Опис: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 100V 10A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Опис: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT-6-15

DMT-6-15

Опис: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 10A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Опис: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Опис: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Виробники: Amprobe
В наявності
RFQ
DMT-8-12

DMT-8-12

Опис: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Опис: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMT-7-12

DMT-7-12

Опис: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Виробники: Bel
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.