Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMNH10H028SPSQ-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1796822Зображення DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated

DMNH10H028SPSQ-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.928
5000+
$0.894
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMNH10H028SPSQ-13.pdf
  • Напруга - випробування
    2245pF @ 50V
  • Напруга - розбивка
    PowerDI5060-8
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (Макс)
    10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    40A (Tc)
  • Поляризація
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    DMNH10H028SPSQ-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Номер деталі виробника
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    36nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Особливість FET
    N-Channel
  • Розгорнутий опис
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    -
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100V
  • Коефіцієнт ємності
    1.6W (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMNH10H028SPSQ-13".
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Опис: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Опис: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Опис: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Опис: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Опис: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Опис: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Опис: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Опис: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Опис: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Опис: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Опис: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.