Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN63D8L-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4509126Зображення DMN63D8L-7Diodes Incorporated

DMN63D8L-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.045
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN63D8L-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN63D8L-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    350mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN63D8L-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    23.2pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.9nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 350mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    350mA (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN63D8L-7".
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.