Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN6013LFG-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5036847Зображення DMN6013LFG-7Diodes Incorporated

DMN6013LFG-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2000+
$0.31
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN6013LFG-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN6013LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI3333-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerWDFN
  • Інші імена
    DMN6013LFG-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2577pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    55.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta), 45A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN6013LFG-7".
DMN601TK-7

DMN601TK-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06V-7

DMN5L06V-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7

Опис: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN601VK-7

DMN601VK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN601VKQ-7

DMN601VKQ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06W-7

DMN5L06W-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06TK-7

DMN5L06TK-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06WK-7

DMN5L06WK-7

Опис: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN601K-7

DMN601K-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7

Опис: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06VK-7

DMN5L06VK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

Опис: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN5L06VA-7

DMN5L06VA-7

Опис: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.