Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3070SSN-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6264126Зображення DMN3070SSN-7Diodes Incorporated

DMN3070SSN-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.48
10+
$0.378
100+
$0.259
500+
$0.178
1000+
$0.133
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3070SSN-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN3070SSN-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-59
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 4.2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    780mW (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN3070SSN-7DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    697pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SC-59
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3070SSN-7".
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Опис: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Опис: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Опис: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.