Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3033LSNQ-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5189848Зображення DMN3033LSNQ-7Diodes Incorporated

DMN3033LSNQ-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.196
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3033LSNQ-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN3033LSNQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-59
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.4W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN3033LSNQ-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    755pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    10.5nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SC-59
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3033LSNQ-7".
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Опис: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.