Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3016LFDE-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6320808Зображення DMN3016LFDE-7Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.134
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3016LFDE-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN3016LFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    730mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Інші імена
    DMN3016LFDE-7DI
    DMN3016LFDE-7DI-ND
    DMN3016LFDE-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3016LFDE-7".
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Опис: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Опис: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.