Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN3009SFGQ-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2937486Зображення DMN3009SFGQ-7Diodes Incorporated

DMN3009SFGQ-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2000+
$0.453
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN3009SFGQ-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMN3009SFGQ-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI3333-8
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    900mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerVDFN
  • Інші імена
    DMN3009SFGQ-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2nF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta), 45A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN3009SFGQ-7".
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Опис: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Опис: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Опис: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Опис: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Опис: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Опис: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Опис: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.