Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2400UFB4-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4439236Зображення DMN2400UFB4-7Diodes Incorporated

DMN2400UFB4-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.44
10+
$0.40
100+
$0.224
500+
$0.12
1000+
$0.082
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2400UFB4-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2400UFB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    X2-DFN1006-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    550 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    470mW (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    3-XFDFN
  • Інші імена
    DMN2400UFB4-7DIDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    36pF @ 16V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2400UFB4-7".
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Опис: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Опис: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Опис: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Опис: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.