Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2170U-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3497203Зображення DMN2170U-7Diodes Incorporated

DMN2170U-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2170U-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2170U-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    600mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN2170UDITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    217pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 2.3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2170U-7".
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Опис: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2112SN-7

DMN2112SN-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7

Опис: MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2080UCB4-7

DMN2080UCB4-7

Опис: MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN21D1UDA-7B

DMN21D1UDA-7B

Опис: MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2065UW-7

DMN2065UW-7

Опис: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2104L-7

DMN2104L-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2114SN-7

DMN2114SN-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.