Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2056U-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1889397Зображення DMN2056U-13Diodes Incorporated

DMN2056U-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10000+
$0.08
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2056U-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2056U-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    940mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    339pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.3nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 4A (Ta) 940mW Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2056U-13".
DMN2041UFDB-13

DMN2041UFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7

Опис: MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2065UWQ-7

DMN2065UWQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2050LFDB-7

DMN2050LFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2041UFDB-7

DMN2041UFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2058U-13

DMN2058U-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2044UCB4-7

DMN2044UCB4-7

Опис: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2050LFDB-13

DMN2050LFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2046U-13

DMN2046U-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2065UW-7

DMN2065UW-7

Опис: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2058U-7

DMN2058U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2046U-7

DMN2046U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2041L-7

DMN2041L-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2050L-7

DMN2050L-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2075U-7

DMN2075U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2056U-7

DMN2056U-7

Опис: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2080UCB4-7

DMN2080UCB4-7

Опис: MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.